前英特尔 CEO 帕特・基辛格已经出手押注 Z2RAM 这项新型内存技术，厂商给出的初代预估性能是访问速度达到 DRAM 的 14 倍，它同时融合 SRAM 的高速、DRAM 的存储密度、NAND 闪存的可堆叠制造优势，专门用来解决 AI 芯片普遍遇到的内存墙难题。Z2RAM 是初创公司 Nagare Labs 研发的存储方案，这家公司来自佐治亚理工学院，刚刚拿到 500 万美元种子轮融资，基辛格所在的风投 Playground Global 主导投资，他本人还进入公司董事会，之所以看好它，核心是 Z2RAM 改掉了传统 DRAM 依赖电容存储的短板，采用双晶体管零电容结构，读取数据不会破坏原有信息，不用像 DRAM 那样读完还要回写刷新，延迟直接降下来。而且它采用氧化物半导体、标准后端制程，不用昂贵的 EUV 光刻机，多层存储可以一次光刻成型，堆叠思路类似 NAND 闪存，能直接做在 AI 芯片上方，不用 HBM 那种复杂的中介层封装。不过要注意，14 倍速度只是实验室预估指标，不是已经商用实测的数据，目前 Z2RAM 还处在原型阶段，计划 4 年内出样品，十年内商业化，距离真正量产、装进 AI 显卡还有很长的验证周期。
主流内存对比表
| 内存类型 | 核心特点 | 优势 | 短板 |
|---|---|---|---|
| DRAM | 电容 + 晶体管，读后回写 | 容量大、成本适中 | 延迟高、需要持续刷新 |
| SRAM | 高速缓存 | 延迟极低 | 密度很低，成本贵 |
| HBM | 堆叠 DRAM | 带宽高 | 封装复杂、成本高、依赖 EUV |
| Z2RAM（初代规划） | 双晶体管无电容，非破坏性读取 | 速度约 DRAM14 倍、SRAM 密度 5 倍、免 EUV | 尚未量产，仅实验室预估参数 |
Z2RAM 核心技术亮点
- 存储单元结构：双晶体管零电容架构，依靠晶体管栅极电容存电荷，读取不破坏数据，省去 DRAM 回写步骤，降低延迟
- 制造工艺：氧化物半导体，BEOL 后段工艺，不需要 EUV 光刻，多层堆叠一次曝光成型，降低制造门槛
- 集成方式：3D 混合键合，直接堆叠在 AI 计算芯片上方，缩短数据传输距离，减少功耗
- 路线规划：初代 Z1 为 6 层，SRAM 密度 5 倍；后续迭代层数持续增加，密度继续提升
落地推进时间线
- 当前阶段：实验室原型，刚结束隐身模式，拿到种子融资，寻找晶圆代工合作伙伴
- 短期目标：4 年内产出可用 Z2RAM 样品
- 长期目标：10 年内实现商业化交付，面向 AI 加速器做片上缓存
适用场景与定位
Z2RAM 定位在 SRAM 和 HBM 中间的缓存层级，优先面向 AI 推理、大模型 KV 缓存场景，适合 Groq 这类基于 SRAM 的 AI 加速芯片，用来提升片上缓存容量，减少频繁访问 HBM/DRAM 带来的延迟和耗电。它不是用来替换电脑内存条，主打 AI 芯片内置高速存储。
【相关 FAQ】
问题 1：前英特尔 CEO 押注的 Z2RAM，14 倍于 DRAM 的速度是已经实测确认的吗？
回答 1：前英特尔 CEO 押注的 Z2RAM，速度 14 倍于 DRAM 是厂商初代方案的预估指标，属于仿真和实验室理论预期，不是商用芯片实测数据，技术还没完成流片验证，最终量产性能有可能出现浮动。
问题 2：前英特尔 CEO 押注的 Z2RAM，和普通 DRAM 最大差别是什么？
回答 2：前英特尔 CEO 押注的 Z2RAM 采用双晶体管零电容结构，读取数据不会破坏电荷，不用读后回写；普通 DRAM 依靠电容存数据，读取会清空电容，必须不断刷新回写，这也是 Z2RAM 能做到远快于 DRAM 的核心原因。
问题 3：前英特尔 CEO 押注的 Z2RAM，能不能直接替代我们电脑里的 DRAM 内存条？
回答 3：前英特尔 CEO 押注的 Z2RAM 定位是 AI 芯片片上高速缓存，不是桌面电脑内存，设计思路是直接集成在 AI 加速器芯片上方，暂时不会做成单独内存条替换 DRAM。
问题 4：前英特尔 CEO 押注的 Z2RAM，生产需要 EUV 光刻机吗？
回答 4：前英特尔 CEO 押注的 Z2RAM 不需要 EUV 光刻机，采用标准后端制程，多层存储结构可以单次光刻曝光制作，相比 HBM 大幅降低制造难度和设备成本。
【参考资料】
[2026-10-30]（英特尔前 CEO 押注 Z2RAM 内存架构，瞄准 AI 芯片内存瓶颈）Hardware Upgrade
[2026-10-29]（集 SRAM、DRAM、NAND 优点于一身！英特尔前 CEO 押注新型内存 Z2RAM）太平洋科技
[2026-10-28]（Former Intel CEO Pat Gelsinger Backs Memory Startup Eyeing EUV-Free Z2RAM）TrendForce
[2026-10-28]（英特尔前 CEO 基辛格押注 Z2RAM 内存架构）电子工程专辑
[2026-10-28]（内存墙有救了！前英特尔 CEO 押注的内存：不用 EUV）新浪科技
【免责声明】
本文内容仅为公开行业信息整理，Z2RAM 的 14 倍 DRAM 速度、密度、功耗、量产时间均为厂商规划与实验室预估，未经过独立商用验证；技术存在研发失败、指标缩水、延期量产风险；不构成投资、硬件采购建议，相关技术详情、最新进展以 Nagare Labs 官方公告、晶圆厂披露信息为准。
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