CH5N50D 是程华电子推出的 TO-252 封装 N 沟道增强型高压 MOS 管，耐压 500V，25℃下连续漏极电流 5A，自带较低的导通电阻和雪崩耐受能力，是小功率高压开关电源、LED 驱动、适配器常用的贴片高压 MOS，这份器件的数据手册里面包含绝对最大额定值、静态电参数、开关参数、热参数、封装尺寸、测试条件等全套内容，硬件工程师做方案、画 PCB、做可靠性验证都要以手册原文为准。它采用 TO-252 贴片封装，散热片和漏极相连，贴装方便，适合空间紧凑的电源板，手册里也标注了不同温度下的电流降额规则，很多工程师容易忽略高温降额，直接按 25℃的 5A 电流长期跑，会出现过热损坏，同时器件支持单脉冲雪崩测试，在感性负载场景下有一定抗冲击能力，手册还附带开关时序、电容、栅电荷等动态参数，方便做驱动回路和环路补偿设计。
一、CH5N50D 核心参数清单（来自数据手册）
- 型号：CH5N50D
- 沟道类型：N 沟道增强型 MOSFET
- 封装：TO-252（D-Pak）
- VDS 漏源耐压：500V
- 连续漏极电流 Id（25℃）：5A
- 连续漏极电流 Id（100℃）：3A
- 脉冲漏极电流 IdM：20A
- 最大耗散功率 Pd：50W
- 栅源电压 VGS：±30V
- 导通电阻 RDS (on)：1Ω（典型值）
- 单脉冲雪崩能量 EAS：280mJ
- 最高结温 Tj：150℃
- 存储温度：-55℃ ~ 150℃
二、CH5N50D 静态与动态特性简表
| 参数 | 符号 | 典型条件 | 典型值 |
|---|---|---|---|
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS，ID=250μA | 2~4V |
| 跨导 | gfs | VDS=15V，ID=2.5A | 2.4S |
| 栅极总电荷 | Qg | VDS=400V，VGS=10V | 12nC 左右 |
| 开启延迟时间 | Td(on) | VDD=300V，RG=25Ω | 约 9.8ns |
| 关断延迟时间 | Td(off) | VDD=300V，RG=25Ω | 约 20ns |
三、典型应用场景
- 反激开关电源、高压适配器
- LED 高压驱动、恒流电源
- 小家电控制板高压开关
- 小型高压 DC-DC 升压电路
- 静电放电、小型感性负载开关
四、看 CH5N50D 数据手册重点关注项
- 电流降额：温度升高后电流要打折，不能一直按 5A 设计
- 雪崩参数：感性负载必须核对 EAS，避免电感尖峰击穿 MOS
- 栅电荷 Qg：决定驱动电阻取值，影响开关损耗和 EMI
- 热阻参数：TO-252 封装依靠铺铜散热，手册有热阻参考
- 反向体二极管：有反向恢复时间，硬开关场景要评估损耗
【相关 FAQ】
问题 1：CH5N50D TO-252 封装 N 沟道高压 MOS 管，数据手册标注的耐压和电流是多少？
回答 1：CH5N50D TO-252 封装 N 沟道高压 MOS 管，数据手册标注 VDS 耐压 500V，25℃条件下连续漏极电流 5A，100℃时降额到 3A。
问题 2：CH5N50D TO-252 封装 N 沟道高压 MOS 管，数据手册里雪崩能量 EAS 代表什么？
回答 2：CH5N50D TO-252 封装 N 沟道高压 MOS 管的数据手册里 EAS 是单脉冲雪崩能量，代表器件承受电感尖峰冲击的能力，感性负载设计时必须参考这个参数。
问题 3：CH5N50D TO-252 封装 N 沟道高压 MOS 管，数据手册适合什么电路使用？
回答 3：CH5N50D TO-252 封装 N 沟道高压 MOS 管，对照数据手册参数，适合反激电源、LED 高压驱动、小型高压升压电路这类高压开关场景。
问题 4：使用 CH5N50D TO-252 封装 N 沟道高压 MOS 管，能不能直接按手册 25℃的 5A 长期满载？
回答 4：不能，CH5N50D TO-252 封装 N 沟道高压 MOS 管的数据手册写明温度升高电流要降额，高温环境下只能按 3A 甚至更低来设计，否则会过热失效。
【参考资料】
[2026-11-12]（CH5N50D 500V N-Channel Power MOSFET 数据手册 PDF）深圳市程华电子
[2026-09-21]（CH5N50D TO-252 高压 MOS 管选型说明）立创电子社区
[2025-12-05]（TO-252 封装高压 MOSFET CH5N50D 参数对比）电子发烧友网
【免责声明】
本文仅为 CH5N50D TO-252 封装 N 沟道高压 MOS 管公开数据手册信息整理，不构成电源方案、PCB 设计、器件选型指导。最终电气参数、测试条件、可靠性指标以原厂官方原版数据手册为准，高压电源项目必须做好高压隔离、散热、尖峰吸收验证，器件应用风险由设计方自行承担。
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评论列表（4条）
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本文概览：CH5N50D 是程华电子推出的 TO-252 封装 N 沟道增强型高压 MOS 管，耐压 500V，25℃下连续漏极电流 5A，自带较低的导通电阻和雪崩耐受能力，是小功率高压开关电源、LED 驱动、适配器常用的贴片高压 MOS，这份器件的数据手册里面包含绝对最大额定值、静态电参数、开关参数、热参数、封装尺寸、测试条件等全套内容，硬件工程师做方案、画 PCB、做可靠性验证都要以手册原文为准。它采用 TO-252 贴片封装，散热片和漏极相连，贴装方便，适合空间紧凑的电源板，手册里也标注了不同温度下的电流降额规则，很多工程师容易忽略高温降额，直接按 25℃的 5A 电流长期跑，会出现过热损坏，同时器件支持单脉冲雪崩测试，在感性负载场景下有一定抗冲击能力，手册还附带开关时序、电容、栅电荷等动态参数，方便做驱动回路和环路补偿设计。