三星电子、SK 海力士正在竞争性抢购 ASML 的 EUV 光刻机配额，两家在 EUV 设备上的投入都达到 10 万亿至 20 万亿韩元区间，核心目标是扩产适配 AI 服务器、HBM 配套的先进 DRAM，而最大瓶颈就是 EUV 光刻机的交付排期。阿斯麦已经预警，2027–2028 年 EUV 设备供给会出现明显缺口，交付周期拉长至原来最长周期的两倍，能不能提前锁定配额，直接决定两家先进 DRAM 产线的投产节奏。SK 海力士在今年 3 月官宣 EUV 设备采购计划，金额 11.95 万亿韩元，设备交付截止到 2027 年 12 月 31 日；三星的 EUV 订单配合平泽 P5 产线节奏，P5 单座晶圆厂总投资超 60 万亿韩元，计划 2028 年投产，洁净室明年上半年完工后，EUV 设备将陆续进场。两家都计划从明年开始分批接收光刻机，还会根据市场需求考虑追加订单，资本开支存在继续抬升的可能，背后驱动力来自 AI 服务器、大模型集群带动 DDR5、HBM 配套 DRAM 需求持续走高。
两家企业 EUV 采购与 DRAM 扩产核心清单
- SK 海力士：EUV 设备采购 11.95 万亿韩元，交付截止 2027 年底，配套龙仁、清州 DRAM 产线
- 三星电子：EUV 投入 10 万亿韩元以上，匹配平泽 P5 先进 DRAM 产线，2028 年目标投产
- 设备来源：ASML 极紫外 EUV 光刻机
- 交付周期：周期显著拉长，为原有最长周期两倍
- 投产节点：2027–2028 年集中交付设备，后续逐步释放先进 DRAM 产能
- 产品方向：AI 服务器 DRAM、HBM 配套底层存储
三星与 SK 海力士扩产信息对比表
| 企业 | EUV 设备投入 | 配套产线 | 目标投产时间 | 核心产品方向 |
|---|---|---|---|---|
| SK 海力士 | 11.95 万亿韩元 | 龙仁 Y2、清州 M15X 等 DRAM 产线 | 2027 年后逐步量产 | HBM、服务器 DDR5 |
| 三星电子 | 10 万亿韩元以上 | 平泽 P5 晶圆厂 | 2028 年 | 先进节点 DRAM、HBM |
行业跟踪要点
- 核心约束：EUV 产能由 ASML 决定，配额争夺是本次扩产的关键卡点
- 需求逻辑：AI 算力集群拉动高带宽内存、服务器 DRAM 需求，是扩产主因
- 风险点：如果后续存储价格下行，大规模扩产可能带来供需失衡压力
- 竞争格局：两家扩产会进一步巩固韩国厂商在全球 DRAM 市场的主导地位
【相关 FAQ】
问题 1：三星 SK 海力士争抢 EUV 配额、各投超 10 万亿韩元扩产 DRAM，为什么 EUV 配额这么重要？
回答 1：三星 SK 海力士争抢 EUV 配额、各投超 10 万亿韩元扩产 DRAM，先进 DRAM 节点制造必须依靠 EUV 光刻机，而 ASML 产能有限、交付周期很长，拿到配额才能保证产线按时投产，直接决定 HBM 和 AI 服务器 DRAM 的供给能力。
问题 2：SK 海力士 11.95 万亿韩元的 EUV 采购资金，是全部用来买 DRAM 产线光刻机吗？
回答 2：SK 海力士 11.95 万亿韩元 EUV 采购资金主要用于先进 DRAM 产线配套光刻机，支撑龙仁、清州基地的 AI 存储产能建设，为 HBM、DDR5 服务器内存扩产提供设备基础。
问题 3：三星平泽 P5 产线和本次 EUV 采购是什么关系？
回答 3：三星本次 EUV 采购是为平泽 P5 先进 DRAM 产线配套，P5 洁净室明年上半年完工，后续 EUV 设备进场，目标 2028 年投产，生产面向 AI 场景的先进 DRAM 与 HBM。
问题 4：三星、SK 海力士同步扩产先进 DRAM，对全球存储市场有什么影响？
回答 4：三星、SK 海力士同步扩产先进 DRAM，中长期会提升 AI 存储供给，缓解 HBM、服务器 DRAM 紧缺，但也存在后期产能集中释放、存储价格承压的风险，进一步强化韩厂在 DRAM 赛道的份额优势。
【参考资料】
[2026-11-09]（三星、SK 海力士争抢 EUV 交付配额 加码先进 DRAM 扩产）新浪财经
[2026-11-09]（三星 SK 海力士争抢 EUV 配额 各投超 10 万亿韩元扩产 DRAM）ZAKER
[2026-03-XX]（SK 海力士披露 11.95 万亿韩元 EUV 设备采购计划）SK 海力士公告
[2026-11-09]（ASML 预警 2027-2028 EUV 供给缺口）电子工程专辑
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本文为三星、SK 海力士 EUV 采购与 DRAM 扩产资讯整理，投资金额、交付时间、投产节点为企业规划与行业报道信息，实际落地进度受设备交付、技术、市场行情影响；存储供需、价格存在不确定性，内容不构成投资建议。
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本文概览：三星电子、SK 海力士正在竞争性抢购 ASML 的 EUV 光刻机配额，两家在 EUV 设备上的投入都达到 10 万亿至 20 万亿韩元区间，核心目标是扩产适配 AI 服务器、HBM 配套的先进 DRAM，而最大瓶颈就是 EUV 光刻机的交付排期。阿斯麦已经预警，2027–2028 年 EUV 设备供给会出现明显缺口，交付周期拉长至原来最长周期的两倍，能不能提前锁定配额，直接决定两家先进 DRAM 产线的投产节奏。SK 海力士在今年 3 月官宣 EUV 设备采购计划，金额 11.95 万亿韩元，设备交付截止到 2027 年 12 月 31 日；三星的 EUV 订单配合平泽 P5 产线节奏，P5 单座晶圆厂总投资超 60 万亿韩元，计划 2028 年投产，洁净室明年上半年完工后，EUV 设备将陆续进场。两家都计划从明年开始分批接收光刻机，还会根据市场需求考虑追加订单，资本开支存在继续抬升的可能，背后驱动力来自 AI 服务器、大模型集群带动 DDR5、HBM 配套 DRAM 需求持续走高。