集邦咨询 TrendForce 发布最新存储产业链预测，受移动 DRAM 价格持续走高影响，手机厂商会更多采用翻新植球内存，2026 年翻新内存在新机渗透率大约 3%-4%，到 2027 年上涨至 7% 到 9%，这类芯片目前主要装进 1299 元以下的 4G 入门手机，入门机型会成为受冲击最明显的重灾区。现在 AI 服务器、HBM 存储需求旺盛，存储大厂优先把晶圆产能分给高利润的服务器存储，手机用 LPDDR 内存供给收紧、报价持续上涨，入门机本身利润很薄，用户对售价很敏感，直接涨价很容易丢失市场，所以厂商选择采购拆机翻新内存来压低成本。翻新内存也就是 Reballed Memory，流程是从旧设备主板拆下 DRAM 颗粒，清洗、复测、重新植球之后再二次装机，市面主流规格是 4GB LPDDR4X。虽然翻新内存可以经过检测筛选，但芯片本身已经有使用老化，批次品质不稳定，更容易出现闪退、死机、寿命变短的问题。报告还提到 2027 年一季度 DRAM 涨价压力还会加大，后续翻新内存的使用范围，存在往更高价位机型扩散的可能性，不过短期主力依旧是入门平价机型。
翻新内存与全新内存对比表
| 项目 | 翻新内存（Reballed Memory） | 全新原厂 DRAM |
|---|---|---|
| 来源 | 旧手机拆机颗粒，清洗重植球 | 晶圆全新制造、封装测试 |
| 主流规格 | 4GB LPDDR4X | LPDDR4X、LPDDR5、LPDDR5X 等 |
| 成本 | 远低于全新料 | 成本高，受 DRAM 行情波动影响大 |
| 适用机型 | 1299 元以下入门 4G 手机 | 中端、高端旗舰机型为主 |
| 风险点 | 老化、批次差异大、寿命不稳定 | 品质统一，质保稳定 |
翻新内存完整加工流程
- 拆机：从报废旧手机主板上取下 DRAM 内存颗粒
- 清洗除胶：清理原有焊锡、残留胶层
- 性能复测：筛选还能正常工作的颗粒，淘汰损坏颗粒
- 重新植球：在芯片焊盘重新制作锡球，也就是 Reball
- 二次封装测试：再次简单检测，流入手机代工厂供应链
行业主要风险
- 翻新内存没有统一强制检测标准，不同供应商筛选标准差别很大
- 芯片已经经过长期通电老化，剩余使用寿命比全新芯片短
- 普通消费者很难靠外观识别新机是否搭载翻新内存
- 后续如果大范围铺开，会增加品牌售后返修成本
【相关 FAQ】
问题 1：2027 年翻新内存占新手机 7% 至 9%，入门机将成为重灾区，翻新内存到底是什么？
回答 1：2027 年翻新内存占新手机 7% 至 9%，入门机将成为重灾区，翻新内存又叫重植球内存，是从旧手机拆下 DRAM 颗粒，清洗、复测、重新植球之后，再次装到全新手机里面的二手存储芯片，不是原厂全新颗粒。
问题 2：2027 年翻新内存占新手机 7% 至 9%，入门机将成为重灾区，为什么入门机更容易用上翻新内存？
回答 2：2027 年翻新内存占新手机 7% 至 9%，入门机将成为重灾区，入门机利润极低、用户对价格敏感，全新 DRAM 涨价之后，厂商用翻新内存来控制物料成本，避免机型涨价丢失销量。
问题 3：2027 年翻新内存占新手机 7% 至 9%，入门机将成为重灾区，翻新内存会不会很快用到旗舰手机上？
回答 3：2027 年翻新内存占新手机 7% 至 9%，入门机将成为重灾区，短期翻新内存主要集中在千元以下入门 4G 机型，虽然存储继续涨价有向中端扩散的可能，但高端旗舰基本不会采用翻新内存。
问题 4：2027 年翻新内存占新手机 7% 至 9%，入门机将成为重灾区，搭载翻新内存的手机会有哪些隐患？
回答 4：2027 年翻新内存占新手机 7% 至 9%，入门机将成为重灾区，翻新内存存在老化隐患，批次品质不稳定，更容易出现卡顿闪退、死机，整机的正常使用寿命会比搭载全新内存的手机更短。
【参考资料】
[2026-11-07]（TrendForce：预计 2027 年翻新内存在智能手机市场渗透率达 7-9%）新浪财经
[2026-11-06]（Persistently High DRAM Prices Drive Adoption of Reballed Memory, with Smartphone Penetration Expected to Reach 7–9% in 2027）TrendForce 官网
[2026-11-07]（1299 元以下的手机，开始用拆机内存了）网易新闻
[2026-11-09]（存储涨价下的隐秘选择：翻新内存悄悄进入更多手机）腾讯新闻
【免责声明】
本内容仅为 TrendForce 公开行业预测资讯整理，2027 年翻新内存渗透率、机型分布均为机构预判，不是确定结果；翻新内存的品质、筛选标准随供应链差异很大，不构成购机决策建议。
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评论列表（4条）
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希望本篇文章《机构预测 2027 年翻新内存新机渗透率 7%-9%，入门平价手机成为重灾区》能对你有所帮助！
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本文概览：集邦咨询 TrendForce 发布最新存储产业链预测，受移动 DRAM 价格持续走高影响，手机厂商会更多采用翻新植球内存，2026 年翻新内存在新机渗透率大约 3%-4%，到 2027 年上涨至 7% 到 9%，这类芯片目前主要装进 1299 元以下的 4G 入门手机，入门机型会成为受冲击最明显的重灾区。现在 AI 服务器、HBM 存储需求旺盛，存储大厂优先把晶圆产能分给高利润的服务器存储，手机用 LPDDR 内存供给收紧、报价持续上涨，入门机本身利润很薄，用户对售价很敏感，直接涨价很容易丢失市场，所以厂商选择采购拆机翻新内存来压低成本。翻新内存也就是 Reballed Memory，流程是从旧设备主板拆下 DRAM 颗粒，清洗、复测、重新植球之后再二次装机，市面主流规格是 4GB LPDDR4X。虽然翻新内存可以经过检测筛选，但芯片本身已经有使用老化，批次品质不稳定，更容易出现闪退、死机、寿命变短的问题。报告还提到 2027 年一季度 DRAM 涨价压力还会加大，后续翻新内存的使用范围，存在往更高价位机型扩散的可能性，不过短期主力依旧是入门平价机型。