格芯推出的 FDX Fusion 属于新一代 FD-SOI 工艺平台，它不靠 EUV 光刻机，依靠全耗尽绝缘体上硅技术，就能拿到对标 7nm FinFET 的数字性能，主打边缘物理 AI 场景，和台积电、三星走的 EUV FinFET 路线完全不一样。格芯选择这条路线，是因为 EUV 设备采购、维护成本极高，而且格芯早就放弃自研传统 7nm FinFET，FD-SOI 本身自带漏电低、射频性能强、支持体偏置调节的优势，适合感知、控制、通信一体的终端芯片。项目推进节奏是先完成平台定义，2027 年初送出示范芯片给客户评估，2027 年年中放出 PDK 设计套件，计划 2028 年在德国德累斯顿工厂投产。它不是传统意义上的 7nm 节点，逻辑密度大约对标 8nm FinFET，优势在射频、模拟、存内计算集成，更适合端侧 AI，而不是数据中心大算力 GPU。
一、FDX Fusion 核心参数清单
- 底层技术：FD-SOI 全耗尽绝缘体上硅，无 EUV、无 FinFET
- 性能定位：7nm 级数字性能
- 逻辑密度：对比第一代 FDX 提升 2 倍以上，约等效 8nm FinFET
- 射频能力：ft/fmax 最高可达 0.5THz
- 特色集成：支持模拟混合信号、低泄漏、存内计算、嵌入式非易失存储
- 目标场景：Physical AI（感知、思考、执行、通信一体化）
- 投产地点：德国德累斯顿工厂
- 量产时间规划：2028 年启动制造
二、FDX Fusion 和传统 EUV 7nm FinFET 对比表
| 对比项 | 格芯 FDX Fusion（FD-SOI，无 EUV） | 台积电 / 三星 7nm FinFET（EUV） |
|---|---|---|
| 光刻方案 | DUV，不使用 EUV | EUV 光刻 |
| 晶体管结构 | 平面 FD-SOI | FinFET 鳍式晶体管 |
| 强项 | 射频、模拟、低功耗边缘 AI、雷达 | 高性能数字、大算力 GPU、CPU |
| 成本 | 设备投入更低，制造成本可控 | EUV 设备昂贵，晶圆成本高 |
| 短板 | 纯数字逻辑密度偏弱 | 射频、模拟集成难度更高 |
| 适用方向 | 车载雷达、边缘 AI、物联网、通信芯片 | 服务器芯片、高端手机 SoC |
三、项目时间线
- 2026-10-09：格芯在德累斯顿正式对外发布 FDX Fusion 路线图
- 2027 年初：向客户提供示范芯片用于评估
- 2027 年中：发布 FDX Fusion 正式 PDK 工艺设计套件
- 2028 年：德累斯顿产线开始投产该工艺
四、该技术的优势和局限
✅ 优势
- 避开 EUV 设备壁垒，降低产线投资门槛
- FD-SOI 漏电控制优秀，芯片待机功耗更低
- 射频、毫米波、模拟电路可以和数字逻辑单片集成
- 支持体偏置，灵活切换高性能 / 低功耗模式
❌ 局限
- 逻辑密度不如 EUV 7nm FinFET，不适合超大算力芯片
- 属于差异化工艺，不是通用高性能先进节点
- 距离正式量产还有较长周期，生态还在搭建
【相关 FAQ】
问题 1：格芯 FDX Fusion 不靠 EUV 做到 7nm 级性能，是不是等同于台积电 7nm？
回答 1：格芯 FDX Fusion 不靠 EUV 做到 7nm 级性能，指的是功耗、数字性能对标 7nm，逻辑密度大约对标 8nm FinFET，和台积电 7nm 不是同一类工艺，它是 FD-SOI 平面路线，不是 FinFET 路线。
问题 2：格芯 FDX Fusion 不用 EUV，它适合用来做 AI 大模型训练 GPU 吗？
回答 2：格芯 FDX Fusion 不靠 EUV 实现 7nm 级性能，主打边缘物理 AI 场景，射频、模拟集成能力强，不适合数据中心大模型训练 GPU 这类超高密度数字算力芯片。
问题 3：格芯 FDX Fusion 什么时候可以量产，国内厂商能拿到 PDK 吗？
回答 3：格芯 FDX Fusion 计划 2028 年在德累斯顿工厂投产，2027 年年中会放出 PDK，只要是格芯签约客户，都可以申请拿到对应的工艺设计套件。
【参考资料】
[2026-11-09]（FD-SOI，挑战 7nm，凭啥？）36 氪
[2026-11-07]（GlobalFoundries FDX Fusion: Node 7nm Tanpa EUV, Produksi 2028）Telset.id
[2026-10-10]（格罗方德发布 FDX Fusion 平台，FD-SOI 工艺首次迈向 7nm 级）电子工程专辑
[2026-10-09]（GF unveils roadmap to deliver the world’s most advanced FD-SOI platform for Physical AI）GlobalFoundries 官网
【免责声明】
本文仅整理格芯公开披露的 FDX Fusion 路线与技术信息，工艺指标、量产时间、客户生态均为规划目标，后续存在调整风险，不构成芯片流片、投资、代工选型建议。
本文来自作者[残码重构]投稿，不代表乌兰科技网立场，如若转载，请注明出处：https://www.wlcbnews.com/kjyw/202611/730.html
评论列表（4条）
我是乌兰科技网的签约作者“残码重构”！
希望本篇文章《格芯 FDX Fusion 工艺不使用 EUV 光刻，实现 7nm 级芯片性能》能对你有所帮助！
本站[乌兰科技网]内容主要涵盖：互联网行业的追踪与探索
本文概览：格芯推出的 FDX Fusion 属于新一代 FD-SOI 工艺平台，它不靠 EUV 光刻机，依靠全耗尽绝缘体上硅技术，就能拿到对标 7nm FinFET 的数字性能，主打边缘物理 AI 场景，和台积电、三星走的 EUV FinFET 路线完全不一样。格芯选择这条路线，是因为 EUV 设备采购、维护成本极高，而且格芯早就放弃自研传统 7nm FinFET，FD-SOI 本身自带漏电低、射频性能强、支持体偏置调节的优势，适合感知、控制、通信一体的终端芯片。项目推进节奏是先完成平台定义，2027 年初送出示范芯片给客户评估，2027 年年中放出 PDK 设计套件，计划 2028 年在德国德累斯顿工厂投产。它不是传统意义上的 7nm 节点，逻辑密度大约对标 8nm FinFET，优势在射频、模拟、存内计算集成，更适合端侧 AI，而不是数据中心大算力 GPU。