瑞能半导体推出新一代 G3 超结 MOS WSJ3M65R045DTL,面向 AI 服务器高密度电源

瑞能半导体发布新一代 G3 超结 MOSFET WSJ3M65R045DTL,主打 650V 高压、低导通电阻、TOLL 贴片封装,专门针对 AI 服务器、通信电源这类高密度 1U 电源场景设计,优化高频软开关工况下的开关损耗与功率密度,内置集成 FRD 快恢复二极管,开尔文源极引脚设计抑制米勒振荡,适合追求高效率、小型化的大功率开关电源方案。这款器件采用瑞能第三代超结工艺,Rds (on) 最大 45mΩ,栅极总电荷 Qg 典型值 132nC,优值系数 FOM 表现优秀,额定电流 52A,工作温度区间 - 55℃~150℃。相比传统 TO-247 插件 MOS,TOLL 贴片封装占板面积大幅缩减、厚度仅 2.3mm,不遮挡 1U 机箱风道,支持 SMT 自动化贴片生产;新增独立开尔文源极,把共源寄生电感从约 10nH 降到 1.5nH,高频开关损耗下降 30% 以上,反向恢复电荷 Qrr 低至 1.3μC,trr 仅 169ns,适配 PFC、LLC 等 ZVS 软开关拓扑。目前该型号已经开放样品申请,面向服务器电源厂商、工业电源方案商送样测试。

一、WSJ3M65R045DTL 参数表

项目详情
型号WSJ3M65R045DTL(G3 超结 MOS)
耐压 Vds650V
额定电流 Id(25℃)52A
导通电阻 Rds (on)@10V最大 45mΩ
栅极电荷 Qg典型 132nC
内置器件集成 FRD 正向恢复二极管
封装TOLL 贴片 SMD
引脚设计开尔文独立源极(SS)
工作温度-55℃ ~ 150℃
典型应用AI 服务器电源、通信电源、高密度 PFC、LLC 变换器

二、核心亮点清单

  1. TOLL 超薄贴片封装:厚度 2.3mm,适配 1U 服务器电源,不阻碍风道,支持自动化贴装,降低组装成本。
  2. 开尔文源极驱动:大幅降低共源寄生电感,抑制高速开关时栅极振荡,提升高频稳定性。
  3. G3 超结工艺优化:导通电阻和栅电荷做了平衡,FOM 更优,适合高频软开关拓扑。
  4. 集成优化 FRD:反向恢复特性好,Qrr、trr 参数低,减少续流阶段损耗。
  5. 面向算力电源:针对 AI 服务器电源高密度、高可靠、高效率的行业痛点开发。

三、新旧封装对比

  • TO-247 插件:面积约 300mm²,高度 16mm,人工插件,挤占风道,不利于 1U 高密度电源
  • TOLL 贴片(本款):面积约 116mm²,高度 2.3mm,SMT 自动贴装,风道友好,功率密度更高

四、适用场景与局限

✅ 适合:AI 服务器电源、通信机架电源、工业高密度 PFC、LLC 谐振变换器、大功率 UPS

⚠️ 局限:贴片封装,散热条件依赖 PCB 铜皮设计;适合高频软开关方案,硬开关场景优势不明显;TOLL 封装对 PCB Layout 设计有一定要求

五、选型使用要点

  1. 布局优先走开尔文源极回路,减小驱动回路电感
  2. PCB 铺铜充分,保证器件散热能力
  3. 适合搭配 ZVS 软开关拓扑,最大化发挥低反向恢复优势
  4. 可向瑞能官方渠道申请样品,单家样品上限 20pcs

【相关 FAQ】

问题 1:瑞能半导体 G3 超结 MOS WSJ3M65R045DTL 耐压和导通电阻是多少?

回答 1:瑞能半导体 G3 超结 MOS WSJ3M65R045DTL 耐压 650V,10V 驱动条件下最大导通电阻 45mΩ,额定电流 52A,采用 TOLL 贴片封装。

问题 2:瑞能 WSJ3M65R045DTL 开尔文源极设计有什么作用?

回答 2:瑞能 WSJ3M65R045DTL 开尔文源极可以降低共源寄生电感,抑制高频开关的米勒振荡,降低开关损耗,提升 AI 服务器高频电源的稳定性。

问题 3:瑞能 WSJ3M65R045DTL 主要面向什么应用?

回答 3:瑞能 WSJ3M65R045DTL 是新一代 G3 超结 MOS,主要面向 AI 服务器 1U 高密度电源、通信电源、PFC、LLC 软开关变换器这类大功率高密度电源场景。

【参考资料】

[2026-11-06](破解 AI 服务器电源升级难题,瑞能新一代 G3 SJ MOS 重磅登场)瑞能半导体官网

[2026-11-06](WSJ3M65R045DTL 产品规格页)瑞能半导体官网

[2026-11-06](瑞能 G3 超结 MOS WSJ3M65R045DTL 样品开放)瑞能半导体样品申请页

[2026-11-07](瑞能半导体发布 G3 超结 MOS,瞄准算力服务器电源)电子发烧友

【免责声明】

本文为功率半导体资讯科普,WSJ3M65R045DTL 的实际批量供货周期、可靠性报告、配套驱动方案以瑞能半导体官方 datasheet 和 FAE 支持为准;器件散热、EMI 表现受 PCB 布局、拓扑方案影响,不构成电源方案选型、批量采购的决策建议。

本文来自作者[幻波解析师]投稿,不代表乌兰科技网立场,如若转载,请注明出处:https://www.wlcbnews.com/rgzn/202611/1014.html

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  • 幻波解析师
    幻波解析师 2026年11月10日

    我是乌兰科技网的签约作者“幻波解析师”!

  • 幻波解析师
    幻波解析师 2026年11月10日

    希望本篇文章《瑞能半导体推出新一代 G3 超结 MOS WSJ3M65R045DTL,面向 AI 服务器高密度电源》能对你有所帮助!

  • 幻波解析师
    幻波解析师 2026年11月10日

    本站[乌兰科技网]内容主要涵盖:互联网行业的追踪与探索

  • 幻波解析师
    幻波解析师 2026年11月10日

    本文概览:瑞能半导体发布新一代 G3 超结 MOSFET WSJ3M65R045DTL,主打 650V 高压、低导通电阻、TOLL 贴片封装,专门针对 AI 服务器、通信电源这类高密度 1U 电源场景设计,优化高频软开关工况下的开关损耗与功率密度,内置集成 FRD 快恢复二极管,开尔文源极引脚设计抑制米勒振荡,适合追求高效率、小型化的大功率开关电源方案。这款器件采用瑞能第三代超结工艺,Rds (on) 最大 45mΩ,栅极总电荷 Qg 典型值 132nC,优值系数 FOM 表现优秀,额定电流 52A,工作温度区间 - 55℃~150℃。相比传统 TO-247 插件 MOS,TOLL 贴片封装占板面积大幅缩减、厚度仅 2.3mm,不遮挡 1U 机箱风道,支持 SMT 自动化贴片生产;新增独立开尔文源极,把共源寄生电感从约 10nH 降到 1.5nH,高频开关损耗下降 30% 以上,反向恢复电荷 Qrr 低至 1.3μC,trr 仅 169ns,适配 PFC、LLC 等 ZVS 软开关拓扑。目前该型号已经开放样品申请,面向服务器电源厂商、工业电源方案商送样测试。

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