三星、SK 海力士两大存储厂商正在争抢 ASML 的 EUV 光刻机交付配额，用来支撑下一代先进 DRAM 产能扩张，单家企业对应的投资上限接近千亿元人民币，AI 服务器拉动 DDR5、HBM 配套 DRAM 需求持续走高，而先进 1c、1D、0a DRAM 制程离不开 EUV 光刻设备，现在 EUV 整体产能紧张、交付周期拉长，能不能提前锁定设备排期，直接决定两家后续先进存储的量产节奏，两家投资区间大约 10 万亿到 20 万亿韩元，也就是 526 亿到 1053 亿元，SK 海力士已经在今年 3 月落地大额 EUV 采购订单，三星同步推进平泽 P5 新晶圆厂布局，后续还规划引入 High-NA EUV 面向更下一代 DRAM 节点，这场设备卡位战不只是扩产能，也是为了守住在全球 DRAM 市场的份额。
传统成熟 DRAM 节点不用大量 EUV，但是进到 10nm 级第六代 1c DRAM 之后，电路线宽进一步缩小，EUV 需要使用的光刻层数提升到 5 层以上，继续靠多重曝光工艺成本、良率都很难控制；ASML 方面已经预警，就算 2027、2028 年持续提升 EUV 设备产能，依然跟不上存储、逻辑芯片客户的订单需求，交付周期相比之前直接翻倍，所以存储厂商都在提前锁单，甚至预订比较远期的交付档期。
存储双雄 DRAM 与 EUV 投资信息清单
| 企业名称 | 投资规模区间 | 核心产线 | 规划制程节点 | 设备交付时间 |
|---|---|---|---|---|
| SK 海力士 | 10~20 万亿韩元 | 龙仁 Y1 晶圆厂 | 1c DRAM，后续 1D、0a DRAM | 2027 年底前交付 |
| 三星电子 | 10~20 万亿韩元 | 平泽 P4、P5 工厂 | 1c、1D DRAM，布局 High-NA EUV | 2027 年起逐步进场，P5 计划 2028 投产 |
先进 DRAM 扩产 + EUV 设备落地流程
- 企业根据 AI 存储需求、制程迭代路线，制定 DRAM 扩产规划，确定无尘厂房建设进度。
- 向 ASML 提交 EUV 光刻机采购意向、长期锁单协议，争夺有限交付排期。
- 厂房洁净室建设、配套气体、水电、光刻配套模块同步施工。
- 光刻机到货进场、安装调试、机台验证、工艺 Recipe 开发。
- 试跑 1c DRAM 晶圆，验证良率，逐步爬坡量产，同步推进 HBM 配套 DRAM 生产。
- 根据市场供需、良率情况，决定是否追加下单 High-NA EUV 设备，布局 0a DRAM。
综合来看，存储双雄争夺 EUV 光刻机是 AI 存储红利下的产能卡位动作，千亿级资金投入的核心目标是先进 DRAM 和 HBM 配套产能，不过 EUV 供给瓶颈短期很难缓解，资本开支压力、设备到货延迟、良率爬坡风险都会影响最终落地效果。
【相关 FAQ】
问题 1：存储双雄争夺 EUV 光刻机支撑先进 DRAM 扩产，这里的存储双雄指哪两家企业？
回答 1：存储双雄争夺 EUV 光刻机支撑先进 DRAM 扩产，存储双雄就是三星电子和 SK 海力士，也是全球 DRAM 市场份额最高的两家厂商。
问题 2：存储双雄争夺 EUV 光刻机支撑先进 DRAM 扩产，是不是所有 DRAM 芯片都需要 EUV 光刻机？
回答 2：不是，存储双雄争夺 EUV 光刻机主要为 1c 以及更下一代先进 DRAM 节点，老一代成熟 DRAM 制程不需要大规模使用 EUV 光刻机。
问题 3：存储双雄争夺 EUV 光刻机支撑先进 DRAM 扩产，EUV 设备紧缺的局面什么时候可以缓解？
回答 3：短期很难快速缓解，ASML 预判即便持续扩产，2027、2028 年 EUV 供给依然跟不上客户需求，存储双雄才会提前抢订 EUV 光刻机排期。
【参考资料】
[2026-11-10]（存储双雄争夺 EUV 光刻机 以支撑先进 DRAM 扩产 单家投资上限接近千亿）财联社
[2026-11-10]（存储双雄争夺 EUV 光刻机，单家投资千亿扩产 DRAM）新浪财经
[2026-11-09]（三星 SK 海力士争抢 EUV 配额 各投超 10 万亿韩元扩产 DRAM）36 氪
【免责声明】
以上内容为存储双雄采购 EUV 光刻机、先进 DRAM 扩产行业公开信息整理，设备订单金额、交付排期、制程量产时间存在调整可能性；本文仅为行业资讯科普，不构成半导体行业投资、芯片采购相关决策建议，最终项目进展、设备交付情况以 ASML、三星、SK 海力士官方公告为准。
本文来自作者[尘波时序]投稿，不代表乌兰科技网立场，如若转载，请注明出处：https://www.wlcbnews.com/itzx/202611/2438.html
评论列表（4条）
我是乌兰科技网的签约作者“尘波时序”！
希望本篇文章《存储双雄争抢 EUV 光刻机 加码先进 DRAM 扩产单家投资上限接近千亿》能对你有所帮助！
本站[乌兰科技网]内容主要涵盖：互联网行业的追踪与探索
本文概览：三星、SK 海力士两大存储厂商正在争抢 ASML 的 EUV 光刻机交付配额，用来支撑下一代先进 DRAM 产能扩张，单家企业对应的投资上限接近千亿元人民币，AI 服务器拉动 DDR5、HBM 配套 DRAM 需求持续走高，而先进 1c、1D、0a DRAM 制程离不开 EUV 光刻设备，现在 EUV 整体产能紧张、交付周期拉长，能不能提前锁定设备排期，直接决定两家后续先进存储的量产节奏，两家投资区间大约 10 万亿到 20 万亿韩元，也就是 526 亿到 1053 亿元，SK 海力士已经在今年 3 月落地大额 EUV 采购订单，三星同步推进平泽 P5 新晶圆厂布局，后续还规划引入 High-NA EUV 面向更下一代 DRAM 节点，这场设备卡位战不只是扩产能，也是为了守住在全球 DRAM 市场的份额。